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2017/04/14

<総合>SKハイニックス、72層のフラッシュメモリー開発

  • SKハイニックス、72層のフラッシュメモリー開発

    世界で初めて開発した72層に積んだ3DのNAND型フラッシュメモリー

 SKハイニックスは10日、記憶素子を72層に積む最先端の3D(立体)半導体、NAND型フラッシュメモリーの開発に世界で初めて成功したと発表した。これまで最高水準のサムスン電子や東芝の64層を上回る。今年下半期(7~12月)からソウル近郊の利川(イチョン)工場で量産入りする予定だ。

 SKハイニックスは、スマートフォン(高機能携帯電話)やデータセンター向けに需要が増えるNAND型フラッシュメモリーの多層化を進めるため、2兆2000億㌆を投じて新工場棟とクリーンルームを建設した。

 同社はDRAM半導体ではサムスン電子に次ぐ世界2位のシェアを誇るが、NAND型フラッシュメモリーでは東芝とマイクロンの後塵を拝していた。このため、昨年から技術格差を縮める努力を本格的に傾けてきた。


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