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2017/08/18

<韓国経済>サムスン電子、世界初1テラビット半導体メモリー開発

  • サムスン電子、世界初1テラビット半導体メモリー開発

 サムスン電子は、手の爪ほどの大きさのメモリーチップに高画質の映画60本以上を保存できる「V―NAND型フラッシュメモリー」を開発した。世界初の1テラビット(1024㌐ビット)容量の半導体チップだ。この半導体チップを装着した最大容量の記憶装置であるSSD(ソリッドステートドライブ)を来年から本格的に販売する計画だ。

 今回の最先端メモリーチップは、米カリフォルニア州のサンタクララ・コンベンションセンターで開かれた「フラッシュメモリサミット2017」で1テラバイト(8テラビット)半導体チップを裏表に8個ずつ装着したSSD製品として初公開された。

 V―NANDは、3D(3次元)の垂直構造に回路を積み上げ集積度を高めたフラッシュメモリー技術で、主にスマートフォン(高機能携帯電話)やデジタルカメラなどのデータ保存装置として使われる。新たに公開した製品はデータを保存する3Dセルの容量は従来品の2倍増だ。

 サムスン電子は世界で唯一、64段まで積み上げたV-NAND製品を量産しており、今回の製品にもこの技術が適用された。


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